Interdisciplinary Resource Center for Nanotechnology

...going for nano

Sample Preparation

Sample preparation complex installed at IRC lab includes systems for precise ion etching and spattering (Gatan PECS, Gatan PIPS, Fischione NanoMill) as well as machines to care out the whole cycle of TEM sample preparation.



Buehler MiniMet 1000

Print

Buehler MiniMet 1000

Grinding and polishing station for samples up to 25mm in diameter

Specimen rotation speed - 10 - 50 rps

Treatment time - 0,5 - 9 min

Treatment forse - 0 -20 kg

 

FISCHIONE NanoMill

Print

FISCHIONE NanoMill установка для создания высококачественных тонких образов для ПЭМ Высокого Разрешения.

Проблема

В результате специфики ионного травления и ионной полировки происходит повреждение материала в виде аморфного слоя, кроме того в системах FIB в процессе подготовки  происходит имплантация галлия в образец. Толщина поврежденного слоя может варьироваться в пределах 10-30 нм и его наличие в ПЭМ не позволяет получить четкое изображение в фазовом контрасте и существенно искажает информацию. 

        Установка NanoMill позволяет быстро удалять поврежденный слоя и выравнивать поверхность с помощью фокусированного низкоэнергетического пучка ионов, детектор вторичных электронов позволяет визуализировать и задавать область ионной полировки.

Характеристики

Ионный источник 

  • Ионный источник, комбинированный с электронно-линзовой системой.
  • Варьируемое напряжение  50 -2000 эВ
  • Плотность тока пучка вплоть до 1мA/см2
  • Диаметр пучка менее 2 мкм 
  • Ток пучка  в диапозоне  1-2000 пА

Углы наклона образца

  • в режиме просмотра СИМ -10 до +30 
  • в режиме полировки  -10 до +10

Вакуумная система 

  • Полностью без масляная система откачки, турбомолекулярный насос + мембранный насос

Газовая система

  • Скорость потока до 2 см3/мин.
  • Интегрированный фильтр микрочастиц
  • Инертный газ – аргон

Режимы полировки  

  • Воздействие в точке 
  • Сканирование выбранной области

Охлаждение 

  • Система позволяющая охлаждать образец до температуры  -175oС 
  • Время охлаждения системы 20 минут
  • Время охлаждения образца 5 минут
  • Интегрированная печь обеспечивает быстрое  нагревание образца до комнатной температуры

Визуализация 

  • Детектор вторичных электронов позволяет регистрировать изображение в режиме ионного микроскопа

 

 

 ВРПЭМ изображение гетероструктуры GaAs/AlGaAs подготовлен на установках GATAN - dimple grinder и PIPS 

 ВРПЭМ изображение гетероструктуры GaAs/AlGaAs подготовлен на установках Zeiss CrossBeam 1540 XB и FISCHIONE NanoMill

 


Page 3 of 5