Публикации

Пресса о нас

Печать

 

  1. Наука XXI века. Ленинградская Областная Телекомпания. 17 декабря 2009.

  2. STRANN-2009. Журнал Санкт-Петербургский Университет, №19 (3806) 10 декабря 2009.

  3. Открытие Междисциплинарного Ресурсного Центра в СПбГУ. Фотоинформационное агенство ИНТЕРПРЕСС.РУ, 04 декабря 2009

  4. За нанотехнологиями - будущее. 100 ТВ, 03 декабря 2009.

  5. В Петродворце открывается центр нанотехнологиию. Росбалт-Петербург, 03 декабря 2009.

  6. В Петербурге пройдет конференция по нанотехнологиям. Интернет-портал nanonewsnet, 03 декабря 2009.

  7. В Санкт-Петербургском Университете откроют наноцентр. Агенство бизнес новостей, 03 декабря 2009.

  8. Конференция по нанообъектам пройдет в Петербурге. Балтийское информационное агенство, 03 декабря 2009.

  9. В Санкт-Петербурге состоятся важные мероприятия в области нанотехнологий. Интернет-издание nano-info.ru, 04 декабря 2009.

  10. Евгений Голубев. Ресурсы электронные и ресурсы исследовательские.  Журнал Санкт-Петербургский Университет, №10 (3796) 8 июня 2009.

  11. Ксения Капитоненко. Наши кадры для высоких технологий.Журнал Санкт-Петербургский Университет, № 7 (3793), 29 апреля 2009.

  12. Большими шагами к наноразмерам и нанотехнологиям. Журнал Санкт-Петербургский Университет, №4 (3790), 6 марта 2009.

  13. О. Ф. Вывенко, Ю. В. Чижов, И. В. Рождественский, И. А. Горлинский. ТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ ВУЗОВ КАК ОПОРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО СЕГМЕНТА РОССИЙСКОЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ. Журнал "Инновации", 6 (116) 2008 с. 66-69.

 

Статьи

Печать

 

  1. Anton Bondarenko, Oleg Vyvenko, Nikolay Bazlov and Oleg Kononchuk. Dislocation luminescence and electrical properties of dislocation network produced by silicon direct wafer bonding. Physica B: Condensed Matter, Volume 404, Issues 23-24, Pages 4608-4611.

  2. Е.В. Убыйвовк, Д.К. Логинов, И.Я. Герловин, Ю.К. Долгих, Ю.П . Ефимов, С.А. Елисеев, В.В. Петров, О.Ф. Вывенко, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко. Экспериментальное определение толщины „мертвого слоя“ для экситонов в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs. Физика твердого тела, 2009, том 51, вып. 9

 

Конференции

Печать

 

  1. O. Vyvenko. He-Ion Microscope: Secondary electron energy distribution and application examples. Workshop "Helium Ion Microscopy and its Application" Forschungszentrum Dresden Rossendorf, 09.12.2009.

  2. N.A. Sobolev, Kalyadin, R.N. Kyutt, E.I. Shek and V.I. Vdovin. Structural and Luminescent Properties of Implanted Silicon Layers with Dislocation-Related Luminescence.Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. XIIIth International Autumn Meeting, Dollnsee-Schorfheide, north of Berlin, Germany, 2009

  3. V.I. Vdovin, N.D. Zakharov, E. Pippel, P. Werner, M.G. Milvidskii, M. Ries, M. Seacrist and R. Falster.  Si Wafer Bonding: Structural Features of the Interface. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. XIIIth International Autumn Meeting, Dollnsee-Schorfheide, north of Berlin, Germany, 2009

  4. A. Bondarenko, O. Vyvenko, N. Bazlov, Yu. Petrov and O. Kononchuk. Dislocation luminescence and electrical properties of dislocation network produced by silicon direct wafer bonding. ICDS-25, St.Petersburg, Russia, July 20-24, 2009, pp. 165-166 Download poster.

  5. B. V. Novikov, S.Yu. Serov, N. G. Filosofov, I. V. Shtrom, V. G. Talalaev, O. F. Vyvenko, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravleuv, I. P. Soshnikov, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii and G. E. Cirlin. Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence. 17th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” Minsk, 2009, pp. 186-187

  6. А.С. Бондаренко, О.Ф. Вывенко, Н.В. Базлов. Комплексное исследование дислокационной люминесценции в кремнии аналитическими методами сканирующей электронной микроскопии. Тезисы XVI Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ-2009. Черноголовка, 2009. с 167.        Стендовый доклад..

  7. А.С. Бондаренко, О.Ф. Вывенко, Ю.В. Петров. Сканирующий ионный гелиевый микроскоп. Тезисы XVI Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ-2009. Черноголовка, 2009. с 80.        Стендовый доклад.

  8. Вывенко О.Ф. Междисциплинарный ресурсный центр Санкт-Петербургского Университета. Метериалы совещания представителей предприятий и организаций национальной нанотехнологической сети Северо-Западного федерального округа, Санкт-Петербург, 2009.

  9. Вывенко О.Ф. Гелиево–ионный микроскоп: результаты недавних исследований наносистем. 2-я международная конференция «Объединенный Дальневосточный научно-исследовательский центр ДВГУ и ДВО РАН – ведущий научный интегратор внедрения методов исследования наноструктур.» Владивосток, 2009.

  10. Е.В. Убыйвовк, Д.К. Логинов, И.Я. Герловин, Ю.К. Долгих, Ю.П. Ефимов, С.А. Елисеев, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко. Определение приграничного мертвовго слоя в широких квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Тезисы XXII Российской конференции по электронной микроскопии ЭМ-2008. Черноголовка, 2008. с 41.

 

 

 
Еще статьи...


Страница 1 из 2